哈爾濱PLD-300型激光鍍膜設(shè)備

PLD-300型激光鍍膜設(shè)備

◆設(shè)備用途

用于制備超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所進(jìn)

行薄膜材料的科研與小批量制備。

◆設(shè)備組成

主要由濺射真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺、抗氧化基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺、真空測

量及電控系統(tǒng)等部分組成。

◆特點(diǎn)

脈沖激光沉積技術(shù)是目前最有前途的制膜技術(shù),該技術(shù)簡單且有很多優(yōu)點(diǎn)。

(1) 可對化學(xué)成分復(fù)雜的復(fù)合物材料進(jìn)行全等同鍍膜, 易于保證鍍膜后化學(xué)計量比的穩(wěn)定。與靶材成分容易一致是 PLD 的最大優(yōu)點(diǎn), 是區(qū)別于其他技術(shù)的主要標(biāo)志。

(2) 反應(yīng)迅速, 生長快。通常情況下一小時可獲1Lm 左右的薄膜。

(3) 定向性強(qiáng)、薄膜分辯率高, 能實(shí)現(xiàn)微區(qū)沉積。

(4) 生長過程中可原位引入多種氣體, 引入活性或惰性及混合氣體對提高薄膜質(zhì)量有重要意義。

(5) 易制多層膜和異質(zhì)膜, 特別是多元氧化物的異質(zhì)結(jié), 只需通過簡單的換靶就行。

(6) 靶材容易制備不需加熱, 等離子能量高能量大于 10eV , 離子能量 1000eV 左右, 如此高的能量可降低膜所需的襯底溫度, 易于在較低溫度下原位生長取向一致的結(jié)構(gòu)和外延單晶膜。

(7) 高真空環(huán)境對薄膜污染少可制成高純薄膜;羽輝只在局部區(qū)域運(yùn)輸蒸發(fā), 故對沉積腔污染要少地多。

(8) 可制膜種類多, 幾乎所有的材料都可用PLD制膜, 除非材料對該種激光是透明的。

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