550高真空雙室磁控濺射與離子束結(jié)合系統(tǒng)

◆設(shè)備用途

用于納米級單層及多層功能膜、 硬質(zhì)膜、 金屬膜、 半導(dǎo)體膜、 介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應(yīng)用于大專院校、 科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。

◆設(shè)備組成

主要由主濺射真空室、 磁控濺射靶、 基片水冷加熱臺、 進樣室、 樣品庫、 退火爐、 反濺靶、磁力送樣機構(gòu)、 工作氣路、 抽氣系統(tǒng)、 安裝機臺、 真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。

◆技術(shù)指標（以下技術(shù)指標均可根據(jù)客戶要求進行改變）

1、采用單室立式前開門立式結(jié)構(gòu)，換樣進樣操作方便，不銹鋼材料和真空材料。

2、極限真空度：濺射室極限真空度≤5×10-5Pa； 抽速：當一次試驗完成后，在真空狀態(tài)下，關(guān)閉分子泵上方的閘板閥（此時分子泵正常工作），對真空室沖入干燥氮氣至一個大氣壓后（前開門處于關(guān)閉狀態(tài)）停止充氣，采用旁抽閥門和管路對真空室抽真空，當達到10Pa或者更高時，打開分子泵上方的閘板閥，關(guān)閉旁抽閥，100min后，工作真空度可達到：5×10-4Pa； 壓升率：停泵關(guān)機12小時后真空度≤10Pa； 系統(tǒng)漏率：5×10-7PaL/S； 真空機組采用國產(chǎn)分子泵+國產(chǎn)機械泵抽氣系統(tǒng)。

3、磁控靶及電源：3英寸磁控靶3個，其中兩個為標準磁場磁控靶，一個為強磁場磁控靶。磁控靶即可直流也可射頻；RF電源一臺，功率600w，13.56MHz，自動匹配；DC兩臺，功率500w；當直濺射鍍鍍制多層膜時，靶與樣品之間的距離為40mm～120mm

4、樣品臺：樣品臺最高的加溫溫度為500℃，程序控溫；升溫速率、恒溫時間可控；

5、膜厚要求：Cu、Al膜的厚度為4～5微米，Ni、聚四氟乙烯膜的厚度在1～2微米時，在2英寸范圍內(nèi)，膜的厚度均勻性在5%以內(nèi)。

6、附著力要求：薄膜與玻璃片、硅片或者陶瓷基底的附著力能夠承受3次膠帶拉伸試驗，薄膜沒有被破壞。

7、樣品具有反濺射功能，可對樣品進行鍍前預(yù)清洗。

8、設(shè)備配有陽極層離子源，可對樣品進行清洗，同時，可在鍍膜時，對樣品進行輔助沉積。

9、工藝氣體：工作氣路2路：獨立質(zhì)量流量控制器2路，用于反應(yīng)氣體進氣和氬氣氣路，采用質(zhì)量流量計；具有混氣功能；腔內(nèi)氣壓可測可調(diào)可控。

10、濺射室烘烤照明：采用紅外加熱除氣方式，烘烤溫度：150℃。

11、真空室內(nèi)有襯板，避免濺射材料直接濺射到濺射室真空壁上。（在后面表格體現(xiàn)）

12、設(shè)備具有斷水斷電連鎖保護功能，有防止誤操作保護功能。

13、系統(tǒng)采用計算機控制膜制備過程，整個鍍膜過程可在電腦界面上操作，程序控制切換靶材；鍍膜過程由計算機軟件系統(tǒng)控制完成，包括計算機硬件、軟件等，可控制靶擋板、樣品轉(zhuǎn)動、樣品控溫等。