PLD-300型激光鍍膜設備

PLD-300型激光鍍膜設備

◆設備用途

用于制備超導薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應用于大專院校、科研院所進

行薄膜材料的科研與小批量制備。

◆設備組成

主要由濺射真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺、抗氧化基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測

量及電控系統(tǒng)等部分組成。

◆特點

脈沖激光沉積技術是目前最有前途的制膜技術,該技術簡單且有很多優(yōu)點。

(1) 可對化學成分復雜的復合物材料進行全等同鍍膜, 易于保證鍍膜后化學計量比的穩(wěn)定。與靶材成分容易一致是 PLD 的最大優(yōu)點, 是區(qū)別于其他技術的主要標志。

(2) 反應迅速, 生長快。通常情況下一小時可獲1Lm 左右的薄膜。

(3) 定向性強、薄膜分辯率高, 能實現(xiàn)微區(qū)沉積。

(4) 生長過程中可原位引入多種氣體, 引入活性或惰性及混合氣體對提高薄膜質(zhì)量有重要意義。

(5) 易制多層膜和異質(zhì)膜, 特別是多元氧化物的異質(zhì)結(jié), 只需通過簡單的換靶就行。

(6) 靶材容易制備不需加熱, 等離子能量高能量大于 10eV , 離子能量 1000eV 左右, 如此高的能量可降低膜所需的襯底溫度, 易于在較低溫度下原位生長取向一致的結(jié)構(gòu)和外延單晶膜。

(7) 高真空環(huán)境對薄膜污染少可制成高純薄膜;羽輝只在局部區(qū)域運輸蒸發(fā), 故對沉積腔污染要少地多。

(8) 可制膜種類多, 幾乎所有的材料都可用PLD制膜, 除非材料對該種激光是透明的。

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