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磁控濺射鍍膜儀是由二極濺射基礎(chǔ)上開展而來(lái),在靶材外表樹立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),處理了二極濺射 堆積速率低,等離子體離化率低一級(jí)問(wèn)題,成為現(xiàn)在鍍膜工業(yè)首要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜 技術(shù)比較具有如下特征:可制備成靶的材料廣, 幾乎全部金屬,合金和陶瓷材料都可以制成靶材;在恰當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,可堆積配比準(zhǔn)確穩(wěn)定的合金;在濺射的放電氣氛中參加 氧、氮或其它活性氣體,可堆積構(gòu)成靶材物質(zhì)與 氣體分子的化合物薄膜;通過(guò)準(zhǔn)確地操控濺射鍍膜進(jìn)程,簡(jiǎn)略取得均勻的高精度的膜厚;通過(guò)離 子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài), 濺射靶的裝置不受限制,適合于大容積鍍膜室多 靶安置規(guī)劃;
濺射鍍膜速度快,膜層細(xì)密,附著性 好等特征,很適合于大批量,高效率工業(yè)生產(chǎn)。近 年來(lái)磁控濺射技術(shù)開展很快,具有代表性的方法 有射頻濺射、反響磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈 沖磁控濺射、高速濺射等。
真空鍍膜工藝分為多種,包含有真空磁控濺射鍍膜,蒸騰鍍以及光學(xué)離子鍍?,F(xiàn)在主要來(lái)講講磁控濺射鍍膜的原理以及優(yōu)缺點(diǎn)是什么,讓我們對(duì)這個(gè)電鍍工藝有所了解,對(duì)產(chǎn)品電鍍的選用工藝有所協(xié)助。真空磁控濺射鍍膜通常應(yīng)用在金屬產(chǎn)品上面,原理為在電場(chǎng)作用下,電子與氬原子發(fā)生磕碰,從而電力出很多氬離子和電子,氬離子加速炮擊靶材,靶原子堆積基片表面而成膜。靶材的原料主要有金屬靶材,金屬氧化物靶材等等。
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