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射頻磁控濺射與離子束濺射系統(tǒng)有哪些區(qū)別
兩種濺射法的比照分析
在高頻濺射中，被濺射資料以分子標(biāo)準(zhǔn)巨細(xì)的粒子帶有一定能量接二連三的穿過等離子體在基片上淀積薄膜，這樣，膜質(zhì)比熱蒸騰淀積薄膜細(xì)密、附著力好。但是濺射粒子穿過等離子體區(qū)時(shí)，吸附等離子體中的氣體，淀積的薄膜遭到等離子體內(nèi)雜質(zhì)污染和高溫不穩(wěn)定的熱動(dòng)態(tài)的影響，使薄膜發(fā)生更多的缺陷，降低了絕緣膜的強(qiáng)度，成品率低。此外，高頻濺射靶，既是發(fā)生等離子體的作業(yè)參數(shù)的一部分，又是發(fā)生濺射粒子的工藝參數(shù)的一部分，因此設(shè)備的作業(yè)參數(shù)和工藝參數(shù)互相制約，不能單獨(dú)各自調(diào)整，工藝掌握困難，操作雜亂。
美國(guó)NASA的陳述中評(píng)論了高頻濺射技術(shù)提高薄膜粘附性，同時(shí)也指出了薄膜生長(zhǎng)環(huán)境是在等離子區(qū)的惡劣環(huán)境中，薄膜缺陷的增加成為制備高頻絕緣功用薄膜和提高成品率的一個(gè)首要問題。
在薄膜的生長(zhǎng)過程中，基片的溫度對(duì)堆積原子在基片上的附著以及在其上移動(dòng)等都有很大影響，是決議薄膜結(jié)構(gòu)的重要條件。一般來說，基片溫度越高，則吸附原子的動(dòng)能也越大，跨越外表勢(shì)壘的幾率增多，則需求構(gòu)成核的臨界標(biāo)準(zhǔn)變大，越易引起薄膜內(nèi)部的凝聚，每個(gè)小島的形狀就越挨近球形，簡(jiǎn)略結(jié)晶化，高溫堆積的薄膜易構(gòu)成粗大的島狀安排。而在低溫時(shí)，構(gòu)成核的數(shù)目增加，這將有利于構(gòu)成晶粒小而連續(xù)的薄膜安排，并且還增強(qiáng)了薄膜的附著力，所以尋求實(shí)現(xiàn)薄膜的低溫堆積一直是研討的方向，而離子束濺射技術(shù)在這方面有著顯著長(zhǎng)處。
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