磁控濺射鍍膜儀有兩種，一種是中頻磁控濺射鍍膜設(shè)備，另一種是直流磁控濺射鍍膜設(shè)備。 中頻磁控濺射鍍膜技術(shù)已逐漸成為濺射鍍膜的主流技術(shù)。 它優(yōu)于直流磁控濺射鍍膜，因?yàn)樗朔岁枠O的消失并減少或消除了靶材的異常電弧放電。 直流磁控濺射專用鍍膜設(shè)備，適用于筆記本電腦，手機(jī)外殼，電話，無線通信，視聽電子，遙控器，導(dǎo)航和醫(yī)療工具等，全自動控制，配備大功率磁控管電源，雙靶 交替使用，恒定流輸出。 獨(dú)特的工件架設(shè)計(jì)合理，自傳性強(qiáng)，產(chǎn)量大，成品率高。 膜層的厚度可以通過石英晶體厚度計(jì)測量，并且可以鍍覆準(zhǔn)確的膜厚度。 這兩種類型的磁控濺射鍍膜機(jī)在市場上被廣泛使用。 讓我們在下面詳細(xì)介紹它們的原理。

 磁控濺射鍍膜技術(shù)利用磁場和電場的相互作用使電子在目標(biāo)表面附近呈螺旋形，從而增加了電子與氬氣碰撞產(chǎn)生離子的可能性。 產(chǎn)生的離子在電場的作用下撞擊靶表面并濺射靶材料。 目標(biāo)源分為平衡和不平衡類型。 平衡的靶源涂膜均勻，不平衡的靶源涂膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)。 平衡的目標(biāo)光源主要用于半導(dǎo)體光學(xué)薄膜，不平衡的光源主要用于耐磨裝飾膜。

  根據(jù)磁場的配置，磁控管陰極可大致分為平衡和不平衡磁控管陰極。

 平衡磁控管陰極內(nèi)部和外部的電磁鋼磁通量近似相等。 兩極的磁力線在目標(biāo)表面閉合，將電子等離子體限制在目標(biāo)表面附近，從而增加了碰撞的可能性并提高了電離效率。 因此，工作壓力較低。 它可以發(fā)光并在電壓和電壓下保持輝光放電的目標(biāo)利用率相對較高，但是由于電子沿著磁場線運(yùn)動主要在目標(biāo)表面閉合，因此對基板區(qū)域的離子轟擊較少。 不平衡磁控管濺射技術(shù)的概念，即，磁控管陰極的外磁極的磁通量大于內(nèi)磁極。 兩極的磁力線在目標(biāo)表面上沒有完全閉合。 磁力線的一部分可以沿著靶材的邊緣延伸到基板區(qū)域，因此一些電子可以沿著磁力線延伸到基板并增加基底。 薄片區(qū)域的等離子體密度和氣體電離速率。 不論平衡與非平衡如何，如果磁體是靜止的，其磁場特性決定了總體目標(biāo)利用率小于30％。 為了提高靶材的利用率，可以使用旋轉(zhuǎn)磁場，但是該旋轉(zhuǎn)磁場需要旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，因此需要降低濺射率。 旋轉(zhuǎn)磁場主要用于大型或昂貴的目標(biāo)。

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