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離子束濺射系統(tǒng)

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磁控濺射系統(tǒng)新發(fā)展趨勢(shì)

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磁控濺射系統(tǒng)新發(fā)展趨勢(shì)

發(fā)布日期:2019-11-22 作者: 點(diǎn)擊:

一般而言,增強(qiáng)系統(tǒng)某一部分的功能將帶來整體功能的增強(qiáng),同時(shí)減少系統(tǒng)對(duì)某些部分的依賴,或者可以理解為:兩個(gè)必要因素 該系統(tǒng)有機(jī)地合并為一個(gè)部分。 建立一個(gè)全面的設(shè)計(jì)系統(tǒng)有助于研究系統(tǒng)各個(gè)部分的內(nèi)部邏輯關(guān)系。

濺射技術(shù)的出現(xiàn)和應(yīng)用經(jīng)歷了許多階段。 首先,這只是一個(gè)簡(jiǎn)單的兩極和三極放電濺射沉積。 經(jīng)過30多年的發(fā)展,磁控濺射技術(shù)已經(jīng)發(fā)展成為一種不可替代的方法,用于制備功能膜,例如超硬,耐磨,低摩擦系數(shù),耐腐蝕,裝飾,光學(xué)和電氣。

磁控濺射系統(tǒng)

磁控濺射系統(tǒng)是該領(lǐng)域的另一項(xiàng)重大進(jìn)步。 直流反應(yīng)濺射法沉積致密,無缺陷的絕緣膜(尤其是陶瓷膜)幾乎是不可能的,因?yàn)槌练e率低,目標(biāo)材料容易產(chǎn)生電弧放電,并且其結(jié)構(gòu),成分和性能 被改變了。 這些缺點(diǎn)可以通過使用脈沖磁控濺射技術(shù)來克服。 脈沖頻率為10?200kHz,可有效防止目標(biāo)電弧放電并穩(wěn)定反應(yīng)濺射沉積工藝,從而實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量反應(yīng)膜的高速沉積。

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