国产九九99久久精品影院_激情图片小说_久久久久久人妻精品一区二百内谢_疯狂的欧美乱大交_avtt东京热一区二区

離子束濺射系統(tǒng)

聯(lián)系我們

沈陽(yáng)宇杰真空設(shè)備有限公司

電話(huà):13555776988

網(wǎng)址:www.bjyhcx.cn

淘寶店鋪:https://shop311771663.taobao.com

地址:遼寧省沈陽(yáng)市沈河區(qū)泉園街道

磁控濺射鍍膜儀技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用

您的當(dāng)前位置: 首 頁(yè) >> 新聞資訊 >> 公司新聞

磁控濺射鍍膜儀技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用

發(fā)布日期:2019-05-10 作者: 點(diǎn)擊:

近年來(lái),隨著新材料的開(kāi)發(fā),尤其是薄膜材料的發(fā)展和應(yīng)用,帶動(dòng)控濺射沉積技術(shù)的飛速發(fā)展,在科學(xué)研究領(lǐng)域和工業(yè)生產(chǎn)中有著不可替代的重要作用。本文主要介紹了控濺射沉積鍍膜技術(shù)的工藝過(guò)程及其發(fā)展情況,各種主要磁控濺射鍍膜儀的特點(diǎn),并介紹磁控濺射技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域的主要應(yīng)用。

濺射鍍膜過(guò)程主要是將欲沉積成薄膜的材料制成靶材,固定在濺射沉積系統(tǒng)的陰極上,待沉積薄膜的基片放在正對(duì)靶面的陽(yáng)極上。濺射系統(tǒng)抽至高真空后充入氬氣等,在陰極和陽(yáng)極之間加載高壓,陰陽(yáng)極之間會(huì)產(chǎn)生低壓輝光放電。放電產(chǎn)生的等離子體中,氬氣正離子在電場(chǎng)作用下向陰極移動(dòng),與靶材表面碰撞,受碰撞而從靶材表面濺射出的靶材原子稱(chēng)為濺射原子,濺射原子的能量一般在一至幾十電子伏范圍,濺射原子在基片表面沉積而后成膜。濺射鍍膜就是利用低氣壓輝光放電產(chǎn)生的氬氣正離子在電場(chǎng)作用下高速轟擊陰極靶材,把靶材中的原子或分子等粒子濺射出而沉積到基片或者工件表面,形成所需的薄膜層。但是濺射鍍膜過(guò)程中濺射出的粒子的能量很低,導(dǎo)致成膜速率不高。

磁控濺射技術(shù)是為了提高成膜速率在濺射鍍膜基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的,在靶材表面建立與電場(chǎng)正交的磁場(chǎng),氬氣電離率從 0.3%一0.5%提高到了5%一6%,這樣就解決了濺射鍍膜沉積速率低的問(wèn)題,是目前工業(yè)上精密鍍膜的主要方法之一??芍苽涑纱趴貫R射陰極靶材的原料很廣,兒乎所有金屬、合金以及陶瓷材料都可以制備成靶材。磁控濺射鍍膜在相互垂直的磁場(chǎng)和電場(chǎng)的雙重作用下,沉積速度快,膜層致密且與基片附著性好,非常適合于大批量且高效率的工業(yè)化生產(chǎn)。

1. 磁控濺射的工藝流程

在磁控濺射過(guò)程中,具體工藝過(guò)程對(duì)薄膜性能影響很大,主要工藝流程如下:

(l)基片清洗,主要是用異丙醇蒸汽清洗,隨后用乙醇、丙酮浸泡基片后快速烘干,以去除表面油污;

(2)抽真空,真空須控制在2 × 104 Pa以上,以保證薄膜的純度;

(3)加熱,為了除去基片表面水分,提高膜與基片的結(jié)合力,需要對(duì)基片進(jìn)行加熱,溫度一般選擇在150 ℃~200 ℃之間;

(4)氬氣分壓,一般選擇在0.01一lPa范圍內(nèi),以滿(mǎn)足輝光放電的氣壓條件;

(5)預(yù)濺射,預(yù)濺射是通過(guò)離子轟擊以除去靶材表面氧化膜,以免影響薄膜質(zhì)量;

(6)濺射,氬氣電離后形成的正離子在正交的磁場(chǎng)和電場(chǎng)的作用下,高速轟擊靶材,使濺射出的靶材粒子到達(dá)基片表面沉積成膜;

(7)退火,薄膜與基片的熱膨脹系數(shù)有差異,結(jié)合力小,退火時(shí)薄膜與基片原子相互擴(kuò)散可以有效提高粘著力。

2. 磁控濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展

近年來(lái)磁控濺射技術(shù)發(fā)展非常迅速,代表性方法有平衡平衡磁控濺射、反應(yīng)磁控濺射、中頻磁控濺射及高能脈沖磁控濺射等等。

平衡磁控濺射:即*傳統(tǒng)的磁控濺射技術(shù),將永磁體或電磁線(xiàn)圈放到在靶材背后,在靶材表面會(huì)形成與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng)。在高壓作用下氬氣電離成等離子體,Ar+離子經(jīng)電場(chǎng)加速轟擊陰極靶材,靶材二次電子被濺射出,且電子在相互垂直的電場(chǎng)及磁場(chǎng)作用下,被束縛在陰極靶材表面附近,增加了電子與氣體碰撞的幾率,即增加了氬氣電離率,使氬氣在低氣體下也可維持放電,因而磁控濺射既降低了濺射氣體壓力,同時(shí)也提高了濺射效率及沉積速率。但傳統(tǒng)磁控濺射有一些缺點(diǎn),比如:低氣壓放電產(chǎn)生的電子和濺射出的靶材二次電子都被束縛在靶面附近大約60 mm的區(qū)域內(nèi),這樣工件只能被安·放在靶表面50一100 mm的范圍內(nèi)。這樣小的鍍膜區(qū)間限制了待鍍工件的尺寸,較大的工件或裝爐量不適合傳統(tǒng)方法。

反應(yīng)磁控濺射:隨著表面工程技術(shù)的發(fā)展,越來(lái)越多地用到各種化合物薄膜材料。可以直接使用化合物材料制作的靶材通過(guò)濺射來(lái)制備化合物薄膜,也可在濺射金屬或合金靶材時(shí),通人一定的反應(yīng)氣體,通過(guò)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)制備化合物薄膜,后者被稱(chēng)為反應(yīng)磁控濺射。一般來(lái)說(shuō)純金屬作為靶材和氣體反應(yīng)較容易得到高質(zhì)量的化合物薄膜,因而大多數(shù)化合物薄膜是用純金屬為靶材的反應(yīng)濺磁控射來(lái)制備的。

中頻磁控濺射:這種鍍膜方法是將磁控濺射電源由傳統(tǒng)的直流改為中頻交流電源。在濺射過(guò)程中,當(dāng)系統(tǒng)所加電壓處在交流電負(fù)半周期時(shí),靶材被正離子轟擊而濺射,而處于正半周期時(shí),靶材表面被等離子體中的電子轟擊而濺射,同時(shí)靶材表面累積的正電荷被中和,打弧現(xiàn)象得到抑制。中頻磁控濺射電源的頻率通常在10一80 kHz之間,頻率高,正離子被加速的時(shí)間就短,轟擊靶材時(shí)的能量就低,濺射沉積速率隨之下降。中頻磁控濺射系統(tǒng)一般有兩個(gè)靶,這兩個(gè)靶周期性輪流作為陰極和陽(yáng)極,一方面減小了基片濺傷;另一方面也消除了打弧現(xiàn)象。

高能脈沖磁控濺射:自瑞典科學(xué)家首次采用高能脈沖作為磁控濺射的供電模式并沉積了Cu薄膜后,HPPMS自以其較高的金屬離化率在近幾年受到廣泛關(guān)注,高能脈沖磁控濺射技術(shù)是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來(lái)產(chǎn)生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術(shù),由于脈沖作用時(shí)間短,其平均功率不高,這樣陰極不會(huì)因過(guò)熱而增加靶冷卻的要求。它的峰值功率是普通磁控濺射的100倍,約為1000- 3000 W/cm2,等離子體密度可以高達(dá)1018 m-3數(shù)量級(jí),濺射材料離化率極高,濺射Cu靶可達(dá)70%,且這個(gè)高度離子化的束流不含大顆粒,生成的薄膜致密,性能優(yōu)異。

3. 磁控濺射鍍膜技術(shù)的應(yīng)用

磁控濺射鍍膜技術(shù)主要用于塑料、陶瓷、玻璃、硅片等制品來(lái)沉積金屬或化合物薄膜從而獲得光亮、美觀(guān)、經(jīng)濟(jì)的塑料、陶瓷表面金屬化制品。裝飾、燈具、家具、玩具、工藝美術(shù)、裝璜等生活領(lǐng)域的制膜技術(shù)通常用磁控濺射方法,該方法還應(yīng)用于軍事保護(hù)膜、光學(xué)產(chǎn)品、磁記錄介質(zhì)、電路印制板、防潮增透膜、耐磨膜、防銹抗蝕等工業(yè)領(lǐng)域。

磁控濺射不僅應(yīng)用于科研及工業(yè)領(lǐng)域,已延伸到許多日常生活用品,主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積制膜困難的薄膜制備。磁控濺射技術(shù)在制備電子封裝及光學(xué)薄膜方面已有多年,特別是先進(jìn)的中頻非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜、透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。透明導(dǎo)電玻璃目前應(yīng)用廣泛,如電視電腦平板顯示器件、電磁微波與射頻屏蔽裝置及器件、太陽(yáng)能電池等。另外,在光學(xué)存儲(chǔ)領(lǐng)域中磁控濺射鍍膜技術(shù)也發(fā)揮著很大的作用。再者,該制膜技術(shù)在表面功能薄膜、自潤(rùn)滑薄膜、超硬薄膜等方面的應(yīng)用也很廣泛。

除上述已被大量應(yīng)用的領(lǐng)域外,磁控濺射鍍膜技術(shù)還在高溫、超導(dǎo)薄膜、巨磁阻薄膜、鐵電體薄膜、發(fā)光薄膜、形狀記憶合金薄膜、太陽(yáng)能電池等研究方面發(fā)揮著重要作用。

4. 結(jié)論

磁控濺射鍍膜技術(shù)由于其顯著的優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)成為制備薄膜的主要技術(shù)之一。非平衡磁控濺射改善了等離子體區(qū)域的分布,顯著提高了薄膜的質(zhì)量。中頻濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展有效克服了反應(yīng)濺射過(guò)程中出現(xiàn)的打弧現(xiàn)象,減少了薄膜的結(jié)構(gòu)缺陷,明顯提高了薄膜的沉積速率。高速濺射、高能脈沖磁控濺射鍍膜技術(shù)為濺射鍍膜開(kāi)辟了嶄新的研究領(lǐng)域。在未來(lái)的研究中,新濺射技術(shù)向生活領(lǐng)域的推廣、磁控濺射鍍膜技術(shù)與計(jì)算機(jī)的結(jié)合都將成為研究熱點(diǎn),利用計(jì)算機(jī)模擬鍍膜時(shí)的磁場(chǎng)、電場(chǎng)、溫度場(chǎng)、以及等離子體的分布,必將能給濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展提供巨大的擴(kuò)展空間,推動(dòng)磁控濺射鍍膜技術(shù)向工業(yè)及生活領(lǐng)域轉(zhuǎn)化。

磁控濺射鍍膜儀


本文網(wǎng)址:http://www.bjyhcx.cn/news/420.html

關(guān)鍵詞:磁控濺射鍍膜儀廠(chǎng)家,磁控濺射系統(tǒng)廠(chǎng)家,磁控濺射

最近瀏覽:

沈陽(yáng)宇杰真空設(shè)備有限公司

公司地址:遼寧省沈陽(yáng)市沈河區(qū)泉園街道     聯(lián)系電話(huà):13555776988

二維碼